Las Memorias DRAM: Estas memorias fueron las utilizadas en los primeros módulos SIMM y DIMM,tambien Es un tipo de memoria más barata que la SDRAM, pero también bastante más lenta, por lo que con el paso del tiempo ha dejado de utilizarse. Esta memoria es del tipo asíncronas, es decir, que iban a diferente velocidad que el sistema, y sus tiempos de refresco eran bastante altos (del orden de entre 80ns y 70ns).
FPM-RAM:
Fecha de introducción: 1990
Descripción: Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
Velocidad: 200 MB/s.
EDO-RAM:
Fecha de introducción: 1994
Descripción: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Velocidad: 320 MB/s.
BEDO-RAM:
Fecha de introducción: 1997
Descripción: Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
Velocidad: 533 MB/s hasta 1066 MB/s.
MEMORIAS SINCRONAS
SDR SDRAM:
Fecha de introducción: 1997
Descripción: Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.
Velocidad: La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
PC 66:
Esta memoria funciona con una frecuencia de reloj de 66,66 MHz.
PC 100:
Funcionaba con una frecuencia de reloj de 100MHz.
PC133:
Funcionaba con una frecuencia de reloj de 133MHz.
PC 2100 0 DDR266:
DDR- Short for Double Data Rate-Synchrnous DRAM, un tipo de SDRAM que apoyatransferencias de datos sobre ambos bordes.
PC1600 – DDR200:
Fecha de introducción: 2001
Velocidad: 1600 MB/s
con una frecuencia de bus de 100 MHz, se transfieren 64 bits a la vez.
PC 2700 o DDR 333:
Están diseñadas para computadores de escritorio y tienen 184 pines,
La memoria del reloj 166, El tiempo del ciclo 6, Velocidad de datos 333.
PC 3200 0 DDR 400:
Estas memorias cuentan con 184 pines,Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s,La memoria del reloj 200, El tiempo del ciclo 5, Velocidad de datos 200.
PC4200 – DDR533:
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad: Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s,Su reloj trabaja a una velocidad de 133MHz, su tiempo entre señales es de 7.5ns, la cantidad de datos transferidos es de 533 millones.
PC4800 – DDR600:
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s,La memoria del reloj 150, El tiempo del ciclo 6,7, Velocidad de datos 300.
PC5300 – DDR667:
Fecha de introducción: A finales del 2004
Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s,La memoria del reloj 166, El tiempo del ciclo 6, Velocidad de datos 667
PC6400 – DDR800.
Fecha de introducción: A finales del 2004
Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s,La memoria del reloj 200, El tiempo del ciclo 5, Velocidad de datos 800
DDR3 – 800:
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad: Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s,,Tiempo entre señales 7,5 , Velocidad del reloj de E/S 533.
RDRAM:
Descripción: También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit,u ancho de palabra es de tan sólo 16 bits, una velocidad mucho mayor 400Mhz.
XDR DRAM:
soportan una capacidad máxima de 1 GBFrecuencia de reloj a 400 MHz inicial. 600 MHz, 800 MHz y 1066 MHz, previstas para el futuro
Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por carril.
Cada chip proporciona 8, 16, o 32 carriles programable, que proporciona hasta 204,8 Gbit / s (25,6 GB / s).
XDR2 DRAM:
frecuencia más alta (hasta 800 MHz, transferencia de 16 bits por pasador por ciclo de reloj,Hay un límite de base a la frecuencia con que los datos se pueden obtener de la fila actualmente abierta. Esto es típicamente 200 MHz para el estándar de memoria SDRAM y 400-600 MHz para el rendimiento de memoria de gráficos de alta. El aumento de las velocidades de interfaz requieren ir a buscar grandes bloques de datos a fin de mantener la interfaz ocupado sin violar el límite de DRAM frecuencia interna. A los 16 × 800 MHz, para permanecer dentro de una columna MHz tasa de acceso 400 se requiere un poco de transferencia en ráfagas-32. Multiplicado por un poco de ancho de chips de 32 años, se trata de un mínimo de 128 bytes buscar, gran inconveniente para muchas aplicaciones.
DRDRAM:
Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas gráficas 1600 MB/s de anchura de banda , 32 módulos del pedacito.
SLDRAM :
se jactó un mayor rendimiento y compitió contra RDRAM. Se desarrolló durante la década de 1990 por el Consorcio SLDRAM, que consistía en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria informática. Es un estándar abierto y no requiere derechos de licencia. Las especificaciones pidió un bus de 64 bits funcionando a una frecuencia de reloj de 200 MHz. Esto se logra por todas las señales están en la misma línea y evitando así el tiempo de sincronización de múltiples líneas. Al igual que DDR SDRAM , SLDRAM utiliza un doble bus bombeado, dándole una velocidad efectiva de 400 MT / s.
SLDRAM:
velocidad eficaz de 400 megaciclos, 64-bit autobús,Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema.
SRAM:
Con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip. Con interfaces síncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip.
Async SRAM:
Integrado de silicio de soluciones ha anunciado el lanzamiento de un innovador 8Mbit de alta velocidad SRAM asíncrona monolítica compatible con versiones anteriores. Este dispositivo está disponible en varios paquetes incluyendo un TSOP que es compatible con el estándar de la industria SRAM de 4 Mbits, con la excepción de la línea de dirección adicional. Estos de alta velocidad, dispositivos de baja potencia operar en el rango de 3.3V.
Pipelined SRAM:
Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns,velocidad de acceso 4.5 a 8 nanosegundos,Los tiempos de acceso 3-1-1-1 ciclos.
EDRAM
EDRAM significa " incrustado DRAM ", un condensador con sede en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma morircomo un ASIC o procesador . El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM solo, de pie, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.
ESDRAM:
Tipo de memoria que funciona a 133MHz y alcanza una transferencia de hasta 1.6 GB/s,
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM), mediante los sistemas de memoria mejorada, incluye una pequeña memoria RAM estática en el chip SDRAM.Esto significa que tiene acceso a muchos serán de la SRAM más rápido. En caso de que la SRAM no tiene los datos, hay una gama de autobuses entre la SRAM y la SDRAM porque están en el mismo chip. ESDRAM es la versión mejorada de la memoria síncrona de Sistemas de EDRAM arquitectura. Ambos dispositivos y ESDRAM EDRAM están en la categoría de caché DRAM y se utilizan principalmente para la L1 y L2 .
VRAM:
Memoria gráfica de acceso aleatorio "Video Random Access Memory". Utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que manda la CPU del sistema,Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.
SGRAM:
Es untipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking,SGRAM es una forma especializada de SDRAM para los adaptadores gráficos. Añade funciones tales como encubrimiento bits (por escrito a un plano poco especificado sin afectar a las demás) y el bloque de escribir (llenar un bloque de memoria con un solo color). A diferencia de VRAM y WRAM, SGRAM es un solo puerto. Sin embargo, puede abrir dos páginas de memoria a la vez, que simula el puerto de la naturaleza dual de otras tecnologías de memoria RAM de vídeo.
WRAM:
Es también de dos puertos, pero tiene un ancho de banda un 25% más de VRAM y también incorpora características adicionales para permitir una mayor transferencia de rendimiento,WRAM es una variante de VRAM que se ha utilizado una vez en adaptadores de gráficos, tales como los Objetivos de Matrox y 3D ATI Rage Pro . WRAM fue diseñado para funcionar mejor y cuestan menos de VRAM. WRAM ofrece hasta 25% más de ancho de banda de memoria VRAM y acelerado de uso común las operaciones de gráficos, tales como el dibujo y el bloque de texto llena.
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